GaN技术主要是相对于Si MOSFET能实现更高的频率开关特性以及更高效率特性的场效应晶体管。

GaN与Si MOSFET的特性相比：

1：同样的晶圆面积下，GAN的导通电阻基本是Si的一半左右。因此同样的Die下，氮化镓的导通电阻更低，对应的导通损耗就更低。这也相当于同样的导通电阻下，使用氮化镓材料的晶体管晶圆面积将更小。