JJW产品在开关电源上的应用

在自主研发的同时，公司加强与企业、大学及科研院所的合作，大力开发具有自主知识产权的关键技术，形成自主的核心技术和专有技术，加快科技成果产业化步伐。公司与西安电子科技大学等知名院校建立产学研合作关系，掌握了一批具有自主知识产权的核心技术，有力地保证了公司研发活动顺利开展,为实现半导体系列产品技术领先战略提供了技术储备和支撑。

电路拓扑结构

系统示意图
 

PFC(BOOST)

系统概述
BOOST电路：即升压变换器，通过Q1的导通对L储能，Q1关断后L释放储能并叠加输入电压来进行升压，APFC电路使用该种电路拓扑。D1的反向恢复会对Q1产生较大影响应加以考虑。MOS管关闭时，反向电压峰值较高。需要BVDSS（600V-650V），MOS管与感性负载链接，EAS能力要求高。异常情况下，电路要求MOS管抗dV/dt能力高。能效要求，MOS管损耗低。考核雷击浪涌。

LLC

系统概述
谐振式半桥电源适用于相对较大容量的电源应用，是150W至1000kW应用的理想选择。谐振式半桥电源因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率。开关频率高，需要MOS产品低栅极电荷，实现快速开关，降低开关损耗。工作电流大，需要MOS产品低Rds(on）设计，降低导通损耗；EMI要求高，需要MOS产品高EMI抗干扰能力；零电压开关，需要体二极管反向恢复时间短。J捷捷微电子也提供具有高速快恢复二极管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二极管具有短的反向恢复时间（trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

Flyback

系统概述
反激式转换器包括很少部件，用于150瓦以下的电源应用，比如笔记本电脑和手机电源非常适用于反激式电路。MOS关闭时，交换节点电压峰值高。MOS与感性负载连接，EAS能力要求高。异常情况下，电路要求MOS管抗dv/dt能力高。能效要求，MOS管损耗要求高。考核雷击浪涌。捷捷微电子提供650V/700V/730V MOSFET。                      

Synchronous Rectification

系统概述
同步整流控制方式是利用MOS管导通后的超低导通电阻来改善二极管整流的正向导通压降损耗。我们的SGTMOS可提供30V~150V的同步整流MOS管。在同步整流MOS管的选型中，可以依次以BV、Rdson、Qg、Qrr作为参考去筛选适配的MOS管，我们为同步整流应用专门提供了高Vth的SGTMOS，并且优化了Vth的一致性，使器件更加适合并联使用，具有负载电流更平滑，抗短路能力更强的优点。

Forward

 

系统概述
正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种，对于单管正激，由于变压器需要增加额外的磁复位绕组，在主开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管，以应对电压变化带来的冲击。对于双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流，对MOS管的要求相对宽松，通常与PFC搭配用在200W~800W的适配器、工业电源、电脑电源或者环境相对恶劣又对稳定性要求高的场合。